背景

太陽電池は、太陽光をエネルギー源とするため、夜間に発電できないことが太陽光発電における低い設備利用率の要因となっている。
これまでのナローバンドギャップ半導体を用いた熱放射発電素子では達成できなかった、太陽電池パネルと同程度の太陽光発電量、結晶性が高く大面積化が可能な熱放射発電素子を提供することを目的とする。

技術の内容：半導体のバンドギャップに中間バンドが存在する構造

・中間バンド型太陽電池構造
・昼は①価電子バンドから中間バンドを介し伝導バンドへエネルギーを伝える
・夜は②伝導バンドから中間バンドを介し価電子バンドへエネルギー伝える

技術の利点：太陽電池パネルと同等の発電量で大面積化が可能

・日中の太陽光発電と夜間の熱放射発電の両立が可能
・同一の発電素子において機能を発揮
・素子サイズを大きくすることが期待できるため大面積化が可能

産業応用のイメージ：温度差が生じる環境であれば、利用可能

・太陽光発電システム
・工場排熱等の再利用
・宇宙空間での利用
など、温度差が生じる環境であれば利用可能

特許出願

あり